??柵極驅(qū)動(dòng)器是向電壓驅(qū)動(dòng)型MOSFET或IGBT的柵極端子施加電壓來(lái)控制其驅(qū)動(dòng)的電路。

目前，最通用的柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)和控制MOSFET柵極的電路，但也有使用電阻器、二極管和雙極晶體管等晶體管的模擬電路技術(shù)。最近，柵極驅(qū)動(dòng)器外圍電路元件本身也不斷發(fā)展。

種類(lèi)和組合有很多種，但最實(shí)用的是學(xué)習(xí)使用MOSFET的柵極電壓驅(qū)動(dòng)控制電路。

柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用

柵極驅(qū)動(dòng)器用于通過(guò)僅由 MOSFET 和柵極電阻組成的簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)電路來(lái)驅(qū)動(dòng)功率晶體管。

柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)點(diǎn)是零件數(shù)量少。缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度和損耗隨電阻值變化很大，很難設(shè)定合適的電阻值。另外，作為改善該電阻值調(diào)整問(wèn)題的電路，還用于使用二極管分別驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極ON/OFF的電路中。

由于二極管的電壓仍然存在，因此它不會(huì)完全為零，但連接上下 MOSFET 的 Pch 和 Nch 的稱(chēng)為推挽的電路解決了這個(gè)問(wèn)題。目前，它最常用作柵極驅(qū)動(dòng)器。

柵極驅(qū)動(dòng)原理

柵極驅(qū)動(dòng)器由晶體管推挽電路組成。

推挽電路是通過(guò)交替操作兩個(gè)晶體管來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)或放大的電路。推挽電路有兩種類(lèi)型：“射極跟隨器型”和“發(fā)射極接地型”，但基本上經(jīng)常是后者。

柵極驅(qū)動(dòng)器由充當(dāng)中層管理器角色的電路組成，在晶體管站點(diǎn)執(zhí)行大量工作的強(qiáng)大功率元件和微控制器之間進(jìn)行協(xié)調(diào)，微控制器充當(dāng)公司的大腦和總裁并發(fā)出控制命令政策。

功率 MOSFET和IGBT是可流過(guò)大電流的功率器件的示例。在大多數(shù)情況下，直接驅(qū)動(dòng)這些設(shè)備的電壓和電流不足以由普通微控制器輸出。

因此，為了驅(qū)動(dòng)功率元件和微控制器，它們之間需要一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器。